泡沫铜箔（又称“3D铜箔”）是一种新型的三维多孔、均匀互联的泡沫金属材料，具有轻质、高强度和良好的导电性等特点。近年来，随着电池技术的发展，尤其是固态电池和半固态电池的兴起，泡沫铜箔在锂电负极集流体领域得到了广泛关注和应用。...

IC载板起源于日本，发展至今已有30多年历史，IC载板产业中日本企业是IC载板的开创者，技术实力最强且掌握利润丰厚的CPU载板技术；由于具有先发优势日本IC载板产业链十分完善；同时日本在IC载板制造的精密设备（蚀刻，电镀，曝光，真空压膜等等）及上游材料（BT材料,ABF材料，超薄铜箔VLP,油墨，化学品等等）大部分处于垄断或半垄断地位，导致在整个电子产业链或者说IC载板产业链中大部分的利润终归日本...

在科技日新月异的今天，新能源材料的发展成为了推动科技进步的重要力量。泡沫金属是一种新型多功能材料，形貌如同“泡沫”或“蜂窝”，主要以聚氨酯（PU）软泡沫为基体，经预处理、化学沉积、电沉积和热处理等工艺制备而成。其中，泡沫铜作为三维多孔、均匀互联的泡沫金属材料，由于其制备成本低、导电性好，可抑制枝晶生长，缓解电极在充放电过程中的体积变化，有望成为半固态/固态锂电池的负极集流体。本文将深入探讨泡沫铜在...

集流体是锂电池中铜箔和铝箔的总称，起承载活性物质和汇集电流的作用。集流体一般指电池正负极用于承载活性物质（正负极材料）的基体金属，活性物质在充放电过程中产生的电流通过集流体汇集，再向外输出至外电路。1.复合集流体的发展根据锂电池的工作原理和结构设计，正、负极材料需涂覆于集流体上，经干燥、辊压、分切等工序，制备得到锂电池负极片。图1 集流体的结构示意图 [1]孙雪慧.电动汽车锂电池散热系统的设计和优...

根据业界在玻璃基板上的进展，玻璃基板有望在2026年实现量产。量产只是开始，玻璃基板量产后还需要不断完善与TGV相关封装技术的组合，同时在成本和良率上经过验证，才能确立起在下一代先进芯片制造中的重要地位。...

1 引 言 铜箔作为现代电子行业不可替代的基础材料， 因其具有优异的导电性、 延展性及较高的附加值， 已成为铜加工企业新的主流产品之一。铜箔 按生产工艺不同， 可分为压延铜箔、 电解铜箔、 复合铜箔等。其中，根据应用领域及客户需求的不同，又可分为标准铜箔、锂电铜箔。标准铜箔主要应用于覆铜板和印刷电路板，是铜箔第一大应用领域；锂电铜箔主要应用于消费类锂电池、动力类锂电池及储能用锂电池，为铜箔的第二大...

随着半导体器件的不断精细化，新材料的开发和制造方法的改进成为当前研究的重点。在此背景下，降低半导体器件制造过程中的温度需求变得尤为重要。此外，对于薄膜形成过程，开发在低温下形成高质量薄膜的技术也在快速推进。鉴于此背景，日立国际电气株式会社（HitachiKokusaiElectricInc.）开始生产单片等离子体氮化和氧化设备。（MARORA设备）在本文中，将介绍一种名为“MARORA”的等离子体...

Chiplet封装的兴起由于受光刻机工作窗口，以及掩模板材料对光线解析度的限制，芯片的大小被限制在了一个很小的面积上，也就是平常所见的一片邮票大小（约800平方毫米）。虽然有类似英特尔这种企业，在研发不计成本的超算CPU芯片时，曾经突破过这个尺寸一点点，制造出了“大芯片”（约1200平方毫米），但是并没有在市场上真正的流行起来。算力在多线程CPU和超线程GPU的需求下，每个线程的内核数量不断的堆积...

随着半导体行业的快速发展，先进封装技术成为了提升芯片性能和功能密度的关键。近年来，3.5D封装技术逐渐走向前台，作为2.5D和3D-IC技术之间的一种折中方案，3.5D封装结合了两者的优势，并在解决散热、噪声和信号完整性等方面展现出了独特的能力，技术的提出和应用标志着半导体封装领域的重大突破。Part13.5D封装的优势与挑战3.5D封装通过将逻辑芯片堆叠，并将它们分别粘合到其他组件共享的基板上，...

什么是先进封装？我们先来看一下先进封装的定义和特点，先进封装就是采用了先进的设计思路和先进的集成工艺，对芯片进行封装级的重构，并且能有效提高系统功能密度的封装，我们称之为先进封装。先进封装这个词现在非常热门，它的英文称为AdvancedPackage，有时候也被称为高密度先进封装HDAP，是当前封装技术发展的热点。从晶圆厂到封装再到系统，整个半导体业界都很关注。C大家可以想象一下，如果我们将这四要...

人工智能对高性能、可持续计算和网络硅片的需求无疑增加了研发投入，加快了半导体技术的创新步伐。随着摩尔定律在芯片层面的放缓，人们希望在ASIC封装内封装尽可能多的芯片，并在封装层面获得摩尔定律的好处。承载多个芯片的ASIC封装通常由有机基板组成。有机基板由树脂（主要是玻璃增强环氧层压板）或塑料制成。根据封装技术，芯片要么直接安装在基板上，要么在它们之间有另一层硅中介层，以实现芯片之间的高速连接。有时...

一、TSV：硅通孔技术，芯片垂直堆叠互连的关键技术TSV（ThroughSiliconVia），硅通孔技术，是通过硅通道垂直穿过组成堆栈的不同芯片或不同层实现不同功能芯片集成的先进封装技术。TSV主要通过铜等导电物质的填充完成硅通孔的垂直电气互连，减小信号延迟，降低电容、电感，实现芯片的低功耗、高速通信，增加带宽和实现器件集成的小型化需求。此前，芯片之间的大多数连接都是水平的，TSV的诞生让垂直堆...