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先进工艺:等离子体表面处理与MARORA
随着半导体器件的不断精细化,新材料的开发和制造方法的改进成为当前研究的重点。在此背景下,降低半导体器件制造过程中的温度需求变得尤为重要。此外,对于薄膜形成过程,开发在低温下形成高质量薄膜的技术也在快速推进。鉴于此背景,日立国际电气株式会社(HitachiKokusaiElectricInc.)开始生产单片等离子体氮化和氧化设备。(MARORA设备)在本文中,将介绍一种名为“MARORA”的等离子体...
关键词:
新材料
等离子体
MARORA
表面处理
玻璃基板嵌入技术(GPE) 和玻璃基板扇出(eGFO)封装
Chiplet封装的兴起由于受光刻机工作窗口,以及掩模板材料对光线解析度的限制,芯片的大小被限制在了一个很小的面积上,也就是平常所见的一片邮票大小(约800平方毫米)。虽然有类似英特尔这种企业,在研发不计成本的超算CPU芯片时,曾经突破过这个尺寸一点点,制造出了“大芯片”(约1200平方毫米),但是并没有在市场上真正的流行起来。算力在多线程CPU和超线程GPU的需求下,每个线程的内核数量不断的堆积...
关键词:
半导体封装:3.5D技术解析
随着半导体行业的快速发展,先进封装技术成为了提升芯片性能和功能密度的关键。近年来,3.5D封装技术逐渐走向前台,作为2.5D和3D-IC技术之间的一种折中方案,3.5D封装结合了两者的优势,并在解决散热、噪声和信号完整性等方面展现出了独特的能力,技术的提出和应用标志着半导体封装领域的重大突破。Part13.5D封装的优势与挑战3.5D封装通过将逻辑芯片堆叠,并将它们分别粘合到其他组件共享的基板上,...
关键词:
06
2024-09
为何要用玻璃基板?
人工智能对高性能、可持续计算和网络硅片的需求无疑增加了研发投入,加快了半导体技术的创新步伐。随着摩尔定律在芯片层面的放缓,人们希望在ASIC封装内封装尽可能多的芯片,并在封装层面获得摩尔定律的好处。承载多个芯片的ASIC封装通常由有机基板组成。有机基板由树脂(主要是玻璃增强环氧层压板)或塑料制成。根据封装技术,芯片要么直接安装在基板上,要么在它们之间有另一层硅中介层,以实现芯片之间的高速连接。有时...
关键词:
玻璃基板
芯片封装技术
TGV
31
2024-08
先进封装: TSV(硅通孔)/ TGV(玻璃通孔)工艺技术
一、TSV:硅通孔技术,芯片垂直堆叠互连的关键技术TSV(ThroughSiliconVia),硅通孔技术,是通过硅通道垂直穿过组成堆栈的不同芯片或不同层实现不同功能芯片集成的先进封装技术。TSV主要通过铜等导电物质的填充完成硅通孔的垂直电气互连,减小信号延迟,降低电容、电感,实现芯片的低功耗、高速通信,增加带宽和实现器件集成的小型化需求。此前,芯片之间的大多数连接都是水平的,TSV的诞生让垂直堆...
关键词:
先进封装
TSV
硅通孔
TGV
玻璃通孔
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